专利名称：具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件专利类型：发明专利
发明人：田上知纪,望月和浩,山田宏治申请号：CN03142566.6申请日：20030610公开号：CN1474459A公开日：20040211
摘要：提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔可使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。
申请人：株式会社日立制作所
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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