一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器[发明专利]

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专利名称：一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器专利类型：发明专利

发明人：李京波,杨淮,魏钟鸣,霍能杰申请号：CN201911176005.9申请日：20191126公开号：CN111115590A公开日：20200508

摘要：本发明属于纳米功能材料技术领域，公开了一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器，所述碲化铟纳米片是将铟粉和碲粉混合后加热至480～520℃并保温，然后降温至460～480℃并保温，再冷却至室温，在不同温度下反应朝不同方向进行生长制得。该二维碲化铟纳米片具有低面内对称性，由其制得的偏振光探测器依次包括重掺杂硅、二氧化硅绝缘层和二维材料碲化铟纳米片，在所述二维材料碲化铟纳米片的两侧制作金属电极。由于二维材料碲化铟纳米片具有各向异性等特点，使得偏振光探测器可以探测多角度的线偏振光。

申请人：华南师范大学

地址：510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号

国籍：CN

代理机构：广东广信君达律师事务所

代理人：杨晓松

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