氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极专利类型：发明专利

发明人：曾畅,黄云,王远声,廖雪阳,李汝冠,来萍,苏伟,陈义强,

恩云飞

申请号：CN201510413172.6申请日：20150714公开号：CN105097910A公开日：20151125

摘要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极，包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层，以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层；所述应力缓冲层包括缓冲金属层，所述缓冲金属层的热膨胀系数与所述势垒层以及势垒金属层的热膨胀系数相差在预设范围内。本发明充分考虑热失配对GaN基HEMT的影响，在GaN基HEMT栅电极势垒金属层和栅帽金属层间插入应力缓冲层，应力缓冲层在选材时应注重其热学特性参数，使应力缓冲层能够承受热失配导致的张应力，从而大幅度降低势垒层和势垒金属层中的张应力，避免因热失配产生的裂纹，提升GaN基HEMT器件的可靠性。

申请人：工业和信息化部电子第五研究所

地址：510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号

国籍：CN

代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：李巍

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