专利名称：蚀刻液组合物专利类型：发明专利
发明人：尹景湖,申孝燮,金世训申请号：CN201710086307.1申请日：20170217公开号：CN107090581A公开日：20170825
摘要：本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂的蚀刻液组合物，其通过不包含氟类化合物并且pH为4以上，防止氧化物半导体在含铜和钼膜的蚀刻工艺中被蚀刻，从而使可能在蚀刻工艺中发生的不良最小化。此外，由于不需要以往为了确保氧化物半导体的稳定电气特性而应用的绝缘性保护层(蚀刻终止层)工艺，能够降低氧化物半导体TFT制造时的成本。
申请人：易安爱富科技有限公司
地址：韩国京畿道龙仁市器兴区塔实路第35街14号
国籍：KR
代理机构：深圳市顺天达专利商标代理有限公司
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