专利名称：金属硅化物的制造方法专利类型：发明专利发明人：张国华
申请号：CN02155360.2申请日：20021209公开号：CN1507017A公开日：20040623
摘要：一种金属硅化物的制造方法，此方法在基底上形成介电层，接着于介电层上形成多晶硅材质的导体层，然后于导体层上形成黏着层，其中此黏着层为富含氮层或是氮离子植入层，其后于黏着层上形成金属硅化物层，通过此黏着层，金属硅化物层能够良好的黏着于导体层上。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：省新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：王学强
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