专利名称：碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：魏洋,魏浩明,姜开利,范守善申请号：CN201410124813.1申请日：20140331公开号：CN104944407A公开日：20150930
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列；将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质变为固态介质；通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的固态介质，去除固态介质后该碳纳米管阵列的形态仍能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
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