专利名称：碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方
法
专利类型：发明专利发明人：魏洋,范守善
申请号：CN201410147435.9申请日：20140414公开号：CN104973583A公开日：20151014
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，首先提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管，该代替基底的表面具有多个微结构；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
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