专利名称：一种量子点发光二极管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：何斯纳,吴龙佳,吴劲衡申请号：CN20191007.7申请日：20190125公开号：CN111490170A公开日：20200804
摘要：本发明提出一种量子点发光二极管及其制备方法，包括包括阴极、阳极和设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，还包括设置在所述阴极和量子点发光层之间的第一层，所述第一层的材料包括砷掺杂的碳量子点。砷掺杂的碳量子点的具有高电子迁移率，提高了器件的电子传输性能。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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