高功率半导体激光器防止反射光损伤装置[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高功率半导体激光器防止反射光损伤装置专利类型：实用新型专利

发明人：王智勇,李庆轩,刘友强,秦文斌申请号：CN201220488638.0申请日：20120921公开号：CN202856145U公开日：20130403

摘要：本实用新型涉及一种高功率半导体激光器防止反射光损伤装置，属于激光技术领域。本装置在半导体激光发光芯片的出射光路中依次放置偏振器件和λ/4波片，利用半导体激光束是线偏振光的特性，通过λ/4波片改变反射光束的偏振特性，再采用偏振器件阻止反射光反射到半导体激光器的发光芯片上，由此使得工件反射的部分光束无法照射到半导体激光发光芯片的表面，实现了半导体激光器在激光材料加工过程中防止反射光损伤的目的，延长了高功率半导体激光器的使用寿命。

申请人：北京工业大学

地址：100022 北京市朝阳区平乐园100号

国籍：CN

代理机构：北京汇信合知识产权代理有限公司

代理人：陈圣清

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