专利名称：半导体晶片及半导体封装专利类型：发明专利
发明人：李英志,郭进成,王永辉,赖威宏,王中鼎,李晓燕申请号：CN201710307231.0申请日：20170504公开号：CN108022966A公开日：20180511
摘要：一种半导体晶片包含衬底结构、第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。所述衬底结构界定通孔。所述第一绝缘层覆盖所述衬底结构的表面。所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面。所述导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面。所述第二绝缘层覆盖所述导电层。所述半导体晶片的翘曲小于550微米。
申请人：日月光半导造股份有限公司
地址：中国高雄市楠梓加工区经三路26号
国籍：TW
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：林斯凯
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- yrrf.cn 版权所有 赣ICP备2024042794号-2
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务