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金属栅结构及其制造方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201910937920.9 (22)申请日 2019.09.30

(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

地址 201315 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

(10)申请公布号 CN110672881A

(43)申请公布日 2020.01.10

(72)发明人 孙凤勤;高金德

(74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 焦天雷

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

金属栅结构及其制造方法

(57)摘要

本发明公开了一种直接用于原子探针分析

样品焊接的金属栅结构,包括主体一侧边缘形成有焊接体容置结构;多个焊接体排布在焊接体容置结构底壁上,其顶面为焊接平面,该焊接平面能与原子探针分析样品平面直接焊接。本发明还同开了一种能直接与原子探针分析样品焊接金属栅结构的制造方法。本发明能减少二次加工制造环节,能避免由于二次制造产生的污染,进而能节约生产成本,提高原子探针分析效率和准确

率。

法律状态

法律状态公告日

2020-01-10 2020-01-10 2020-02-11

公开 公开

实质审查的生效

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效

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说明书

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