专利名称：一种微型高密度阵列自由曲面电极专利类型：实用新型专利发明人：吴昭,杨旭燕,杨佳威申请号：CN201921122714.4申请日：20190717公开号：CN211513126U公开日：20200918
摘要：一种微型高密度阵列自由曲面电极，包括基底和若干个电极柱；所述的基底包括焊接面和刺激面；所述的电极柱包括柱头和柱尾；所述的电极柱贯穿基底，柱尾与焊接面呈一个平面，柱头凸出于刺激面。常见的神经刺激电极其电极柱尾部往往设在基底内部，然后再从基底内部引出导线与刺激芯片连接。本发明采用的贯穿式电极结构相较现有结构，在制作上更加方便，适合大批量制作，而且电极柱的柱尾裸露在基底的焊接面，使得刺激芯片的管脚可以和电极柱直接连接，省去了导线，简化了制作工艺。
申请人：杭州暖芯迦电子科技有限公司
地址：311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼608
国籍：CN
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